| Die type | 용 도 | 사 양 |
| Bonding 강도 1) Passivation Layer 평가 2) Plasma 전처리 평가 등 | - Align key : oxide 음각 - Passivation layer : 500 nm 이상 - Die dimension /기타 : 문의 | |
| | Alignment 성능, Bonding 강도 1) 설비 유지 관리/monitoring 2) 설비 성능 평가/개선 3) 공정 전후 monitoring | - Align/Vernier key : Cr 양각 - Passivation layer : 500 nm 이상 - Die dimension /기타 : 문의 |
| | 전기적특성, Misalign, Failure 1) Cu-Cu Rc 2) misalign to Rc matching 3) Die position별 Rc 및 failure | - Min. Dimension : 500 nm - Single Damascene 공정 - Passivation layer / Cu : 500 nm 이상 / EP - 기타 : 문의 |