Hybrid  Bonder

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R&D용 Hybrid Bonding 장비 소개
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첨단 패키지, 소재 및 공정을 연구 개발하기 위한 Die to Wafer 방식의 R&D용 Hybrid Bonding 장비입니다.

Die와 Wafer를 Manual로 Loaind하는 방식이 표준 사양이나,  Robot으로 
Auto Loading하는 방식은 선택 사양(Option)으로 가능합니다.  

장비의 정밀도는 Bonding 후 300nm @3σ 이며  Particle 방지, 산화 방지, 자동 Calibration 기능, 실시간 정밀도 Monitoring 및 장비 이상 감지 기능을 보유하고 있습니다.

정밀도 100nm @3σ , Tact Time 2,000 UPH 급 양산용 장비는 '27년초에 출시 예정 입니다.  

또한,  반도체 FAB 전문가들과 함께 Hybride Bonding 개발을 위한 평가용 TEG Wafer(Daisy-Chain), Alignment 성능 향상을 위한 Fiducial-Glass, 장비 Mapping용 표준 Glass Wafer를 설계, 제작 및 판매를 하고 있습니다.  
[장비 핵심 사양]
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-. Model : D2W-H100
-. Footprint : 1,500 x 1,700 x 1,670
-. 본딩 정밀도 : ±300 nm (3σ)
-. Tact Time : 300 UPH

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구     분
성    능비    고
OperationLoading, Unloading 외 Full Auto
작업 편의성 / 안전성 확보
Post Bonding Accuracy<  300 nmAlign ~ Bonding 무빙(모션) 최소화
광학, Alignment 고유기술 (베스트본 IP)
공정 한계 (@TSV size 기준)<  500 nmAlignment 개선 
Tact Time≒ 300 UPH
Optimize moving path
(베스트본 IP)
Q-time margin
(Pre-treatment ~ Bonding)		◎
Shorter TACT time + Continuous Process
Process ControlFDC
Real Time Force / Accuracy 관리
Internal CleanessISO-3
FFU + N2 Purge / Smart l layout for Air(N2) flow
Cu 산화 방지 기능N2 Purge
-
광학계 Calibration
Auto (Self Teaching)
Bonding중 자동 Calibration 기능 제공
Wafer Size
4”,6”,8”,12” 
CoC(Chip on Chip) Bonding도 가능
Die Size□ 0.5~ 35 (mm)이외 특수 사양은 협의 가능
Bonding force0.5 ~ 50 N(%)
이외 특수 사양은 협의 가능

문 의

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관련하여 문의사항이 있으시면 베스트본(주) 연구소로 연락주시기 바랍니다.  

Tel : 010-2889-4023 /  Mail : support@bestbonh3d.co.kr

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